 新闻分类
联系方式
|
首页 > > 伺服驱动器中SiC碳化硅MOSFET加速取代IGBT
伺服驱动器中SiC碳化硅MOSFET加速取代IGBT
发布时间：2024-08-09 浏览次数：2 返回列表
基本半导体的SiC碳化硅功率器件战略能够满足所有关键因素的要求：BASiCSEMI基本半导体多样化的晶圆和采购网络（BASiCSEMI基本半导体自有晶圆厂及与代工厂相结合，BASiCSEMI基本半导体自有封装厂与代工相结合）、BASiCSEMI基本半导体平面栅器件B3M及更新的沟槽器件（研发中）、BASiCSEMI基本半导体最全面的功率模块封装和电力电子建模、系统理解、与最广泛的汽车、BASiCSEMI基本半导体工业和可再生能源客户的合作，以及未来可根据实际市场需求进行扩展的成本弹性生产足迹，正是这些独特的因素，使BASiCSEMI基本半导体碳化硅功率器件业务在未来的发展中不断取得成功。
|