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基本半导体的SiC碳化硅功率器件战略能够满足所有关键因素的要求:BASiCSEMI基本半导体多样化的晶圆和采购网络(BASiCSEMI基本半导体自有晶圆厂及与代工厂相结合,BASiCSEMI基本半导体自有封装厂与代工相结合)、BASiCSEMI基本半导体平面栅器件B3M及更新的沟槽器件(研发中)、BASiCSEMI基本半导体最全面的功率模块封装和电力电子建模、系统理解、与最广泛的汽车、BASiCSEMI基本半导体工业和可再生能源客户的合作,以及未来可根据实际市场需求进行扩展的成本弹性生产足迹,正是这些独特的因素,使BASiCSEMI基本半导体碳化硅功率器件业务在未来的发展中不断取得成功。 |
公司名称: |
南京倾佳电子技术有限公司 |
公司类型: |
企业单位 (服务商) |
所 在 地: |
江苏/南京市 |
公司规模: |
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注册资本: |
未填写 |
注册年份: |
2018 |
资料认证: |
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保 证 金: |
已缴纳 0.00 元 |
经营模式: |
服务商 |
经营范围: |
SiC革IGBT命|伺服驱动SiC碳化硅MOSFET|伺服驱动SiC模块|工业变频SiC碳化硅模块|基本半导一级代理|南京国产SiC碳化硅MOSFET|南京BASiC基本半导体|南京基本SiC碳化硅MOSFET模块替代英飞凌IGBT模块|南京基本SiC碳化硅MOSFET模块替代三菱IGBT模块|南京基本SiC碳化硅MOSFET模块替代赛米控IGBT模块|南京基本SiC碳化硅MOSFET模块替代富士IGBT模块|南京SiC革IGBT命|南京BASiC基本?SiC碳化硅革掉IGBT的命|南京62mm基本SiC |
销售的产品: |
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采购的产品: |
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主营行业: |
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